Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCPF850N80Z
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCPF850N80Z
FCPF850N80Z Hakkında
FCPF850N80Z, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim sınırlaması ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 6A sürekli dren akımı ve 850mOhm on-state direnci ile güç kontrol ve anahtarlama devrelerinde yer alır. TO-220-3 pakette sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışan ortamlarda kullanılabilir. Gate charge karakteristiği 29nC ve Vgs(th) 4.5V olarak belirtilmiştir. Industrial ve endüstriyel uygulamalarda motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1315 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok