Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCPF650N80Z
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCPF650N80Z
FCPF650N80Z Hakkında
FCPF650N80Z, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 650mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 30.5W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 10V gate drive voltajında çalışır ve ±20V maksimum gate gerilimi toleransı vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1565 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok