Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCPF600N60Z
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCPF600N60Z
FCPF600N60Z Hakkında
FCPF600N60Z, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 7.4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. 600mΩ maksimum kanal direnci (10V gate geriliminde) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluk gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1120 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok