Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCPF4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FCPF4300N80Z

FCPF4300N80Z Hakkında

FCPF4300N80Z, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source voltajı ve 1.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 4.3Ω maksimum RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 19.2W'lık güç tüketim kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, motor denetim devreleri, güç dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montajı ile PCB'lere kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 355 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 160µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok