Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCPF400N80Z

MOSFET N-CH 800V 11A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FCPF400N80Z

FCPF400N80Z Hakkında

FCPF400N80Z, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 11A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve yüksek gerilim endüstriyel kontrollerinde yaygın olarak tercih edilir. 400mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 35.7W maksimum güç harcaması kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 35.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok