Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCPF360N65S3R0L

MOSFET N-CH 650V 10A TO220F-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FCPF360N65S3R0L

FCPF360N65S3R0L Hakkında

FCPF360N65S3R0L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 10A sürekli drenaj akımı özelliklerine sahiptir. TO-220-3 paket tipi ile uygulanmış olan bu bileşen, yüksek gerilim güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 360mΩ on-direnci (@5A, 10V) ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel kontrolcüler, güç kaynakları, invertörler ve motor sürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 18nC gate charge ve 730pF input capacitance parametreleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok