Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCPF260N65FL1

MOSFET N-CH 650V 15A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FCPF260N65FL1

FCPF260N65FL1 Hakkında

FCPF260N65FL1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source geriliminde 15A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan transistör, 260mOhm RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Gate charge 60nC ve threshold gerilimi 5V olup, ±20V maksimum gate gerilimi toleransındadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, endüstriyel invertörler ve çoklu seviyeli konvertörlerde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2340 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok