Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCPF260N60E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FCPF260N60E

FCPF260N60E Hakkında

FCPF260N60E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 15A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 260mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 paket tipi ile endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, invertörler ve DC-DC konvertörlerde yer alır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenli operasyon sunar. 10V gate drive voltajında tam açılış şartlarında çalışır. 62nC gate charge ile düşük enerji kayıpları için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok