Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCPF250N65S3R0L

MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FCPF250N65S3

FCPF250N65S3R0L Hakkında

FCPF250N65S3R0L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesi ile Through Hole montajına uygundur. 250mOhm (10V, 6A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Switch mode power supplies (SMPS), invertörler, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 31W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile orta güç seviyesi devreler için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok