Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCPF2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCPF2250N80Z
FCPF2250N80Z Hakkında
FCPF2250N80Z, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim ve 2.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenecek şekilde tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. 2.25Ohm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Güç dönüştürücüler, şarj devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel SMPS sistemlerinde kullanılabilir. 14nC gate charge ve 585pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama operasyonlarına imkan tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 585 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 21.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.25Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok