Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCPF190N60E

MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FCPF190N60E

FCPF190N60E Hakkında

FCPF190N60E, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim dayanımı ve 20.6A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesiyle Through Hole montajını destekler. 190mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge 82nC ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve SMPS uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3175 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok