Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCPF1300N80ZYD

MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FCPF1300N80

FCPF1300N80ZYD Hakkında

FCPF1300N80ZYD, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paket formatında sunulan bu bileşen, güç elektronikleri devrelerinde, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 1.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan transistör, 24W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. Endüstriyel ve tüketici uygulamalarında uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 400µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok