Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCPF125N65S3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCPF125N65S3
FCPF125N65S3 Hakkında
FCPF125N65S3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 24A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 125mΩ'luk RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Endüstriyel denetim sistemleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V kapı sürücü geriliminde optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1790 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok