Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCPF11N65

TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN(

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FCPF11N65

FCPF11N65 Hakkında

FCPF11N65, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V Drain-Source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 380mOhm'luk düşük on-state direnci (Rds On) ile verimli enerji iletimi sağlar. 52nC gate charge ve 1490pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok