Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCP850N80Z
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCP850N80Z
FCP850N80Z Hakkında
FCP850N80Z, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. Maksimum 136W güç dağıtabilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. 10V gate sürülme geriliminde 850mOhm on-direnci değerine sahiptir. Endüstriyel kontrollerden DC-DC dönüştürücülere kadar geniş uygulama alanlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1315 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok