Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCP650N80Z
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCP650N80Z
FCP650N80Z Hakkında
FCP650N80Z, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10A sürekli dren akımı kapasitesine ve 650mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 800V dren-kaynak gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 162W güç tüketebilir. Gate charge değeri 35nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. Endüstriyel güç dönüştürücüler, inverte devreler, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1565 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 162W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok