Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCP600N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCP600N65S3R0
FCP600N65S3R0 Hakkında
FCP600N65S3R0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 10V gate drive voltajında 600mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari sistemlerde güvenli anahtarlama elemanı olarak görev yapar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 465 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok