Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP4N60

MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP4N60

FCP4N60 Hakkında

FCP4N60, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 3.9A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç uygulamaları, AC-DC ve DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω maksimum on-resistance (10V, 2A koşullarında) ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok