Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP400N80Z

MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP400N80Z

FCP400N80Z Hakkında

FCP400N80Z, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 400mΩ on-direnç değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, switching güç kaynakları ve high-voltage DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında maksimum 195W güç dağıtabilir. 56nC gate yükü ve 2350pF input kapasitanssı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 1000 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 195W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok