Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP360N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP360N65S3R0

FCP360N65S3R0 Hakkında

onsemi tarafından üretilen FCP360N65S3R0, 650V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı özelliklerine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç denetimi işlevlerini yerine getirir. 360mΩ maksimum gate-source direnci ile düşük güç kaybı sağlayan transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. İnverter devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply) sistemleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±30V maksimum gate voltajı ile geniş kontrolleyici uyumluluğu sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok