Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP25N60N

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP25N60N

FCP25N60N Hakkında

FCP25N60N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim sınırlaması ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. 25A sürekli drain akımı ve 216W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç kontrol devrelerinde yer alır. TO-220-3 paket tipi ile standart yükseltici devreler, enerji dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve indüktif yüklerin anahtarlanmasında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3352 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 216W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok