Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP220N80

MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP220N80

FCP220N80 Hakkında

FCP220N80, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj derecelemesi ve 23A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 220mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. TO-220-3 paket formatında sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 278W maksimum güç dağılımına dayanıklıdır. ±20V gate voltaj sınırlaması ile güvenli ve kontrollü işletme sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4560 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 11.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok