Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP20N60_F080

MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP20N60

FCP20N60_F080 Hakkında

FCP20N60_F080, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 20A sürekli drain akımı ve 208W maksimum güç tüketimi ile orta güç seviyesi anahtarlama devrelerinde çalışmaya uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 190mΩ maksimum on-resistance değeriyle verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol ve anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. 10V gate drive voltajında düşük kapı yükü (98nC) ile hızlı komütasyon gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3080 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok