Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP20N60

MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP20N60

FCP20N60 Hakkında

FCP20N60, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 20A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını sınırlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 208W güç harcanabilir. Gate charge değeri 98nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar. Dikkat: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3080 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok