Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP190N65S3

MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP190N65S3

FCP190N65S3 Hakkında

FCP190N65S3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde tercih edilir. 190mΩ açık kanal direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 144W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.7mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok