Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCP190N60E
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCP190N60E
FCP190N60E Hakkında
FCP190N60E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source geriliminde 20.6A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, SuperFET teknolojisi ile tasarlanmıştır. 190mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 82nC olup, 10V sürücü geriliminde çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan komponentin maksimum 208W güç taşıyabilmesi, endüstriyel ve güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmasını uygun hale getirir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3175 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok