Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCP190N60E
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCP190N60E
FCP190N60E Hakkında
FCP190N60E, onsemi tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 190mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, şu uygulamalarda tercih edilir: DC-DC dönüştürücüler, güç kaynağı devreler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamaları. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 208W maksimum güç dağıtabilir. ±20V Vgs toleransı ile geniş kullanım alanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3175 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok