Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCP190N60-GF102
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCP190N60
FCP190N60-GF102 Hakkında
FCP190N60-GF102, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 20.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 199mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve anahtarlama güç dönüştürücülerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 74nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok