Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCP165N65S3
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCP165N65S3
FCP165N65S3 Hakkında
FCP165N65S3, onsemi tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 19A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 165mΩ maksimum drain-source direnç (10V Vgs'de) ve 154W maksimum güç tüketimine sahiptir. 39nC gate yükü ve 1500pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli bir şekilde kullanılabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor sürücüler ve anahtarlamalı modüllerde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 154W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok