Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCP125N65S3
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCP125N65S3
FCP125N65S3 Hakkında
FCP125N65S3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 24A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 125mΩ (10V, 12A şartlarında) düşük on-resistance değeri sayesinde verimli güç yönetimi sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve maksimum 181W güç dissipasyonu yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1940 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 181W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok