Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCP11N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCP11N60N
FCP11N60N-F102 Hakkında
FCP11N60N-F102, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 299mOhm maksimum on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. 94W maksimum güç tüketim kapasitesi ve 35.6nC gate charge karakteristiği ile hızlı switching işlemleri destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1505 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok