Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP11N60N

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP11N60N

FCP11N60N Hakkında

FCP11N60N, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Vdss derecelendirmesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 10.8A sürekli dren akımı kapasitesi ve 299mΩ @ 10V Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama karakteristikleri sunar. TO-220-3 paket tipi ile düz monte edilebilen tasarıma sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, şarj cihazları, enerji yönetim devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 94W güç dağılımına kadir kılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1505 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 5.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok