Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCP11N60F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCP11N60F
FCP11N60F Hakkında
FCP11N60F, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 11A sürekli drain akımı kapasitesi ve 125W maksimum güç dağılımı ile anahtarlama ve güç kontrol devrelerinde yer alır. 380mOhm ON direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, UPS sistemleri, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok