Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP11N60

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP11N60

FCP11N60 Hakkında

FCP11N60, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 10V kapı gerilimi ile çalıştırılırken 380mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 125W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Yüksek gerilim endüstriyel uygulamalar, enerji dönüştürme sistemleri ve anahtarlama devrelerine uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok