Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP110N65F

MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP110N65F

FCP110N65F Hakkında

FCP110N65F, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket formatında sağlanan bu FET, düşük Rds(on) değeri (110mOhm @ 17.5A, 10V) sayesinde verimli anahtarlama sağlar. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynağı devreleri, inverter ve çevirici uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 357W maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir. 10V gate drive voltajı ile kontrol edilen komponent, 145nC gate charge ve 4895pF input capacitance değerlerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4895 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 17.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 3.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok