Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCP099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FCP099N65S3

FCP099N65S3 Hakkında

FCP099N65S3, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj desteği ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, 99mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem yapar. Endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri, enerji yönetim sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2480 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok