Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCMT360N65S3

MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
4-PowerTSFN
Seri / Aile Numarası
FCMT360N65S3

FCMT360N65S3 Hakkında

FCMT360N65S3, onsemi tarafından üretilen 650V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 10A sürekli dren akımı ve 360mΩ on-state direnci ile düşük kayıp uygulamalarında çalışmaya elverişlidir. 4-PQFN (8x8mm) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 83W güç harcayabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan FCMT360N65S3, endüstriyel güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 18nC gate charge ve 730pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 4-PowerTSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 4-PQFN (8x8)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok