Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCMT199N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCMT199N60
FCMT199N60 Hakkında
FCMT199N60, onsemi tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 20.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 199mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. Surface Mount 4-PowerTSFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. 208W güç saçma kapasitesiyle endüstriyel kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V drive voltajında çalışan ve 74nC gate charge değerine sahip bu transistör, hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | Power88 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok