Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCMT125N65S3
MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCMT125N65S3
FCMT125N65S3 Hakkında
FCMT125N65S3, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 24A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4-PQFN (8x8mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu FET, endüstriyel güç dönüştürücüler, enerji yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürme voltajında 125mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 181W güç tüketebilir. 49nC gate yükü ve 1920pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama performansı ile karakterizedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1920 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 181W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-PQFN (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 590µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok