Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCMT080N65S3
MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCMT080N65S3
FCMT080N65S3 Hakkında
FCMT080N65S3, onsemi tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 38A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli güç dağıtımı sağlar. 4-PowerTSFN (8x8mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, invertör uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde ve anahtarlama güç kaynakları (SMPS) tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 260W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2765 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 260W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | 4-TDFN (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 880µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok