Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCI7N60
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCI7N60
FCI7N60 Hakkında
FCI7N60, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. 10V gate sürücü geriliminde 600mΩ maksimum RDS(on) direnciyle düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 83W güç dağıtabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, offline adaptörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok