Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCI25N60N
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCI25N60N
FCI25N60N Hakkında
FCI25N60N, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V/25A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 125mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. 10V kapı sürücü voltajında çalışan transistör, 74nC gate charge ve 3352pF input capacitance karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında, maksimum 216W güç tüketebilmektedir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3352 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 216W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok