Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCHD190N65S3R0-F155

MOSFET N-CH 650V 17A TO247

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
FCHD190N65S3R0

FCHD190N65S3R0-F155 Hakkında

FCHD190N65S3R0-F155, onsemi tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 17A sürekli drenaj akımı ve 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 650V drenaj-kaynak gerilimi, enerji dönüştürme devreleri, invveter tasarımları ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 144W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 33nC olup, hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 390µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok