Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCH190N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCH190N65F
FCH190N65F-F085 Hakkında
FCH190N65F-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 20.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, enerji dönüştürme sistemleri, inverter devreleri, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda veri ve sinyal anahtarlaması için tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 10V gate sürüş voltajı ile çalıştırılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3181 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok