Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCH165N65S3R0-F155

MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
FCH165N65S3R0

FCH165N65S3R0-F155 Hakkında

FCH165N65S3R0-F155, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim ve 19A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 165mΩ RDS(on) değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, invertörler ve switched-mode güç kaynaklarında (SMPS) yaygın olarak yer alır. 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 39nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 154W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.9mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok