Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCH165N60E

MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
FCH165N60E

FCH165N60E Hakkında

FCH165N60E, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 through-hole paketlemesi ile endüstriyel ve güç elektroniksi devrelerinde montajlanır. 165mΩ'luk RDS(on) değeri ve 75nC gate charge ile enerji dönüşüm, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2434 pF @ 380 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok