Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCH150N65F-F155

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
FCH150N65F

FCH150N65F-F155 Hakkında

FCH150N65F-F155, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 24A sürekli drenaj akımı ve 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 298W maksimum güç yayılması kapasitesi, endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Gate charge 94nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3737 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package TO-247 Long Leads
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok