Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCH110N65F-F155
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCH110N65F
FCH110N65F-F155 Hakkında
FCH110N65F-F155, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektoniği uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. 110mΩ maksimum on-direnç değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında, endüstriyel kontroller, inverterler, güç kaynakları ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. 357W maksimum güç tüketimi değeri ile yüksek güç işleme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4895 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 17.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 3.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok