Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCH099N60E
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCH099N60
FCH099N60E Hakkında
FCH099N60E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 37A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 99mOhm on-resistance ile düşük kayıp özellikleri sunar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, konvertörlerde, invertörlerde ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 357W güç disipasyonu kapasitesiyle endüstriyel ve ticari uygulamalarda yaygın şekilde tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3465 pF @ 380 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 18.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok