Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCH077N65F-F085

MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
FCH077N65F

FCH077N65F-F085 Hakkında

FCH077N65F-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 650V drenaj-kaynak gerilimi ve 54A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel konvertörler, güç kaynakları, motor kontrolü ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yer alır. 77mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge karakteristiği ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan cihaz, maksimum 481W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7162 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 27A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok